对比图
型号 NSS60600MZ4T1G NSV60600MZ4T1G DSS60600MZ4-13
描述 ON SEMICONDUCTOR NSS60600MZ4T1G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 100 MHz, 2 W, -6 A, 150 hFEPNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管DSS60600MZ4-13 编带
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 4 4 -
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 2 W 2 W 1.2 W
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 6A 6A 6A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @1A, 2V 120 @1A, 2V 120 @1A, 2V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 1.2 W
直流电流增益(hFE) 70 120 150
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 360
长度 6.7 mm 6.7 mm 6.5 mm
宽度 3.7 mm 3.7 mm 3.5 mm
高度 1.65 mm 1.65 mm 1.6 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -