对比图
型号 SI4410DY SI4410DYPBF SI4410DYTRPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8Pin SOICN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。INFINEON SI4410DYTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.01 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - - 1 V
输入电容 - - 1585 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
上升时间 7.70 ns 7.7 ns 7.7 ns
输入电容(Ciss) 1585pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds) 1585pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - 44 ns 44 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 10.0 A - -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10A -
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Bulk Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17