对比图
型号 FDPF51N25YDTU STP52N25M5 FDPF51N25
描述 Trans MOSFET N-CH 250V 51A 3Pin(3+Tab) TO-220F TubeN沟道250 V ， 0.055 I© ， 28 A， TO- 220 MDmeshTM V功率MOSFET N-channel 250 V, 0.055 Ω, 28 A, TO-220 MDmeshTM V Power MOSFETON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF51N25, 51 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.06 Ω
耗散功率 38 W 110 W 117 W
阈值电压 - - 5 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
上升时间 465 ns 18 ns 465 ns
输入电容(Ciss) 3410pF @25V(Vds) 1770pF @50V(Vds) 2620pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38 W 110 W 38 W
下降时间 130 ns 64 ns 130 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38W (Tc) 110W (Tc) 38 W
极性 N-CH N-CH -
连续漏极电流(Ids) 51A 28A -
通道数 1 - -
长度 10.67 mm - 10.36 mm
宽度 4.7 mm - 4.9 mm
高度 16.3 mm - 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -