对比图
型号 FDS3680 PSMN038-100K,518 FDS3670
描述 100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFETSO N-CH 100V 6.3A100V N沟道PowerTrench MOSFET的 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8 -
漏源极电阻 32.0 mΩ - 22 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta) 3.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.20 A 6.3A 6.30 A
输入电容(Ciss) 1735pF @50V(Vds) 1740pF @25V(Vds) 2490pF @50V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 3.5W (Tc) 2.5W (Ta)
通道数 - - 1
上升时间 - 13 ns 10 ns
额定功率(Max) - 3.5 W 1 W
下降时间 - 25 ns 25 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 55 ℃
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 - - 1.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - EAR99