对比图
型号 DS1230AB-120IND DS1230AB-120IND+ DS1230AB-70IND+
描述 IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP非易失性SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8位, 120ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 - 28
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 4.75V (min)
时钟频率 120 GHz - -
存取时间 120 ns 120 ns 70 ns
内存容量 256000 B - 32000 B
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) 5.25 V 5.25 V 5.25 V
电源电压(Min) 4.75 V 4.75 V 4.75 V
针脚数 - 28 28
长度 39.12 mm - 39.12 mm
宽度 18.8 mm - 18.8 mm
高度 9.4 mm - 9.4 mm
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free