STS3DPF60L和STS7PF30L

对比图

型号 STS3DPF60L STS7PF30L SI9424DY

描述 双P沟道60V - 0.10欧姆 - 3A SO- 8 MOSFET的STripFET DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFETP沟道30V - 0.016ohm - 7A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.016ohm - 7A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET单P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) -60.0 V -30.0 V -20.0 V

额定电流 -3.00 A -7.00 A -8.00 A

漏源极电阻 120 mΩ 0.016 Ω 19.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 2 W 2.5 W 2.5W (Ta)

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 60.0 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±10.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 7.00 A 8.00 A

上升时间 54 ns 54 ns 15.0 ns

输入电容(Ciss) 630pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 2260pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2.5 W 1 W

下降时间 14.5 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2.5W (Tc) 2.5W (Ta)

阈值电压 - 1.6 V -

输入电容 - - 2.26 nF

栅电荷 - - 23.0 nC

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.65 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99