CSD17579Q5A和CSD17579Q5AT

对比图

型号 CSD17579Q5A CSD17579Q5AT

描述 CSD17579Q5A 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、13.3mΩ 8-VSONP -55 to 150

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSON-8 VSON-8

漏源极电阻 11.6 mΩ 0.0084 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 3.1 W 36 W

阈值电压 - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14A

上升时间 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 1030pF @15V(Vds) 1030pF @15V(Vds)

下降时间 1 ns 1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 36W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)

通道数 1 -

漏源击穿电压 30 V -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 VSON-8 VSON-8

长度 6 mm -

宽度 4.9 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/06/15