对比图
型号 BSH202 SI2303CDS-T1-GE3 SI2303BDS-T1-E3
描述 NXP BSH202 晶体管, MOSFET, P沟道, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 VVISHAY SI2303CDS-T1-GE3. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -2.7AVISHAY SI2303BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.49 A, -30 V, 0.15 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.63 Ω 0.158 Ω 0.15 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 417 mW 2.3 W 700 mW
漏源极电压(Vds) 30 V -30.0 V -30.0 V
连续漏极电流(Ids) 0.52A -2.70 A 1.49 A
输入电容(Ciss) - 155pF @15V(Vds) 180pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 0.417 W 1000 mW 0.7 W
上升时间 - 37 ns -
下降时间 - 9 ns -
长度 3 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown - Unknown
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/06/15
ECCN代码 - EAR99 -