对比图
型号 2N3879 JAN2N3879
描述 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 75V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2PinNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-66 TO-66
耗散功率 - 35 W
击穿电压(集电极-发射极) - 75 V
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 5V
额定功率(Max) - 35 W
工作温度(Max) - 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 35000 mW
封装 TO-66 TO-66
材质 - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead