对比图
型号 IRFR2307Z IRFR2307ZPBF IRFR2307ZTRLPBF
描述 DPAK N-CH 75V 53AINFINEON IRFR2307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 75 V, 0.0128 ohm, 10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 110 W 110 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0128 Ω 16 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 110W (Tc) 110 W 110 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 - - 75 V
连续漏极电流(Ids) 53A 53A 53A
上升时间 - 65 ns 65 ns
输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds) 2190pF @25V(Vds)
下降时间 - 29 ns 29 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定功率(Max) - 110 W -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -