对比图
型号 2N5039 JANTXV2N5664 2N3584
描述 Trans GP BJT NPN 150V 25A 3Pin(2+Tab) TO-3NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Power
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Central Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 2 3 -
封装 TO-3 TO-66 TO-66-2
耗散功率 200 W 2.5 W 35 W
击穿电压(集电极-发射极) - 200 V 250 V
最小电流放大倍数(hFE) - 40 @1A, 5V 25 @1A, 10V
额定功率(Max) - 2.5 W 35 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW -
极性 NPN - -
直流电流增益(hFE) 50 - -
封装 TO-3 TO-66 TO-66-2
材质 - Silicon -
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
HTS代码 85412900951 - -