D45VH10G和KSE45H11TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D45VH10G KSE45H11TU D45VH10

描述 PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。Trans GP BJT PNP 80V 10A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 50 MHz 40 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -15.0 A -10.0 A -15.0 A

极性 PNP, P-Channel PNP Dual P-Channel

耗散功率 83 W 1.67 W 83.0 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 15A 10A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 1V 60 @2A, 1V 20 @4A, 1V

额定功率(Max) 83 W 1.67 W 83 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83 W 1670 mW -

针脚数 3 - -

增益频宽积 50 MHz - -

热阻 62.5℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 35 - -

高度 15.75 mm 9.4 mm 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.28 mm - -

宽度 4.83 mm - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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