IRFR2607ZPBF和STD35NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR2607ZPBF STD35NF06LT4 AUIRFR2607Z

描述 Trans MOSFET N-CH Si 80V 45A 3Pin(2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS  STD35NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 VTrans MOSFET N-CH 75V 45A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 80 W 110 W

产品系列 IRFR2607Z - AUIRFR2607Z

额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V -

额定电流 45.0 A 35.0 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 22 mΩ 0.014 Ω -

阈值电压 4 V 1 V -

输入电容 1.44 nF 1700 pF -

漏源极电压(Vds) 75 V 60 V -

漏源击穿电压 - 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 45.0 A 17.5 A -

上升时间 - 100 ns -

输入电容(Ciss) 1440pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 110 W 80 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 80W (Tc) -

额定功率 110 W - -

栅电荷 51.0 nC - -

工作结温(Max) 175 ℃ - -

封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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