IPP072N10N3GXKSA1和STP100N10F7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP072N10N3GXKSA1 STP100N10F7 IPP60R380C6

描述 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFETInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0062 Ω 0.0068 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 150 W 83 W

阈值电压 2.7 V 4.5 V -

输入电容 3690 pF 4369 pF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 600 V

上升时间 37 ns 40 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 3690pF @50V(Vds) 4369pF @50V(Vds) 700pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W 83 W

下降时间 9 ns 15 ns 9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 83W (Tc)

通道数 1 - 1

连续漏极电流(Ids) 80A - 10.6A

额定功率 150 W - -

长度 10.36 mm 10.4 mm 10.36 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.4 mm - 4.57 mm

高度 4.57 mm - 15.95 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

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