MJW21193和MJW21193G

对比图

型号 MJW21193 MJW21193G MJW21191G

描述 硅功率晶体管 Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJW21193G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -30 A, 20 hFE8.0 A功率晶体管互补硅150伏， 125瓦 8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

频率 - 4 MHz -

额定电压(DC) -250 V -250 V -150 V

额定电流 -16.0 A -16.0 A -4.00 A

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel

耗散功率 - 200 W -

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 150 V

集电极最大允许电流 16A 16A 8A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @8A, 5V 20 @8A, 5V 15 @4A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 -

额定功率(Max) 200 W 200 W 125 W

直流电流增益(hFE) - 20 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200000 mW -

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.08 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99