对比图
型号 BTS118D BTS3118D VND5N0713TR
描述 INFINEON BTS118D 智能电源开关, SIPMOS技术, 低压侧, 1路输出, 10V, 15A, TO-252-3HITFET™ 智能低侧电源开关，InfineonHITFET™ 汽车智能低电压端开关系列内置 ESD、过温、短路和过载状况保护。 HITFET 系列具有高达 480 毫欧的开关接通电阻，且可标出 RDSon。诊断或闩锁和重启保护 易于嵌入式更换 ### 电源开关，InfineonOMNIFET ：完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器开关电源
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 10.0 V - -
针脚数 3 - -
耗散功率 21 W - 60 W
输出电流(Max) 2.4 A - 3.5 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
电源电压 2.2V ~ 10V 2.2V ~ 10V -
输入电压 10 V - -
额定电压(DC) - - 70.0 V
额定电流 - - 5.00 A
漏源极电阻 - - 0.2 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 800 mV
漏源极电压(Vds) - - 70 V
漏源击穿电压 - - 70.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 5.00 A
额定功率 - 21 W -
输出电压 - 42 V -
输出电流 - 2.4 A -
通道数 - 1 -
长度 6.5 mm 6.5 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.3 mm 2.3 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99