IRF7342QTRPBF和IRF7342TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7342QTRPBF IRF7342TRPBF IRF7342

描述 SOIC P-CH 55V 3.4AINFINEON  IRF7342TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -3.4 A, -55 V, 0.095 ohm, -10 V, -1 VSOIC P-CH 55V 3.4A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -55.0 V

额定电流 - - -3.40 A

漏源极电阻 - 0.095 Ω 150 mΩ

极性 P-CH P-CH Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2.00 W

产品系列 - - IRF7342

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55.0 V

漏源击穿电压 55 V 55 V -55.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.4A 3.4A 3.40 A

上升时间 10 ns 15 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 32 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2 W 2000 mW

通道数 2 2 -

额定功率(Max) 2 W 2 W -

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

阈值电压 - 1 V -

输入电容 - 690 pF -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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