对比图
描述 PNP硅外延晶体管中功率高电流表面贴装 PNP Silicon Epitaxial Transistors MEDIUM POWER HIGH CURRENT SURFACE MOUNT低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORNXP BSP33,115 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1.3 W, -1 A, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 4 3 4
封装 TO-261-4 TO-18-3 TO-261-4
频率 50 MHz - 100 MHz
针脚数 3 - 4
极性 PNP - PNP
耗散功率 1.5 W 0.5 W 1.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1.5A - 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 50 @500mA, 10V 100 @100mA, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 160 300 -
额定功率(Max) 1.5 W 500 mW 1.3 W
直流电流增益(hFE) 25 - 100
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W 500 mW 1300 mW
长度 6.5 mm - -
宽度 3.5 mm - -
高度 1.6 mm - -
封装 TO-261-4 TO-18-3 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Bag Tape & Reel (TR)
最小包装 1000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -