IRFR7540TRPBF和IPD048N06L3 G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR7540TRPBF IPD048N06L3 G IRFR7540PBF

描述 INFINEON  IRFR7540TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.004 ohm, 10 V, 3.7 VINFINEON  IPD048N06L3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1.7 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 115 W 140 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 110A - 110A

上升时间 38 ns 5 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 4360pF @25V(Vds) 6300pF @30V(Vds) 4360pF @25V(Vds)

下降时间 32 ns 12 ns 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 115 W 140W (Tc)

额定功率 140 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.004 Ω 0.0037 Ω -

阈值电压 3.7 V 1.7 V -

通道数 - 1 -

额定功率(Max) - 115 W -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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