IRFR214TRLPBF和FQD4N25TM_WS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR214TRLPBF FQD4N25TM_WS IRFR214_NL

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans MOSFET N-CH 250V 2.2A 3Pin(2+Tab) DPAK

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 2.2A 3A 2.2A

漏源极电阻 2 Ω - -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

上升时间 7.6 ns - -

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 7 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta), 37W (Tc) -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 DPAK

宽度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

最小包装 2000 - -

产品生命周期 - Active -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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