2SK893和STP6NC60

对比图

型号 2SK893 STP6NC60 SPP03N60C3

描述 2SK893N沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 650 V

额定电流 - - 3.20 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 1.4 Ω

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 - 125W (Tc) 38 W

漏源极电压(Vds) - 600 V 650 V

漏源击穿电压 - - 650 V

连续漏极电流(Ids) - 6A 3.20 A

上升时间 - - 3 ns

输入电容(Ciss) - 1020pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 38 W

下降时间 - - 12 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 125W (Tc) 38000 mW

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99