对比图
型号 IRF640NSPBF IRF640NSTRLPBF IRF640SPBF
描述 N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 150 W 150 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.15 Ω 0.15 Ω 0.18 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 130 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 18A 18A 18.0 A
上升时间 19 ns 19 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
下降时间 5.5 ns 5.5 ns 36 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 130 W
输入电容 - 1160 pF -
额定功率(Max) - 150 W -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99