对比图
型号 NTD20N06T4G NTD5867NLT4G NTD20N06G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD20N06T4G MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新ON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 VON SEMICONDUCTOR NTD20N06G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 20.0 A - 20.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0375 Ω 0.026 Ω 37.5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 36 W 60 W
阈值电压 2.91 V 1.8 V 2.91 V
输入电容 - 675 pF 1.01 nF
栅电荷 - - 30.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A - 20.0 A
上升时间 60.5 ns 12.6 ns 60.5 ns
输入电容(Ciss) 1015pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 1015pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.88 W 36 W 1.36 W
下降时间 37.1 ns 2.4 ns 37.1 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 1.88 W 36W (Tc) 1.88 W
通道数 1 1 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 10.29 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 2.38 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR NLR -