对比图
型号 FDG6318P FDG6318PZ
描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6
额定电压(DC) - -20.0 V
额定电流 - -500 mA
通道数 - 2
漏源极电阻 - 780 mΩ
极性 - P-Channel
耗散功率 - 0.3 W
输入电容 - 85.4 pF
栅电荷 - 1.08 nC
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V
栅源击穿电压 - ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) - 500 mA
上升时间 12 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 83pF @10V(Vds) 85.4pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
下降时间 1 ns 24 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 0.3 W
针脚数 - -
阈值电压 - -
长度 2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
ECCN代码 - EAR99