IXTP98N075T和STP80NF70

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP98N075T STP80NF70 IXTA98N075T

描述 TO-220AB N-CH 75V 98AN沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFETD2PAK N-CH 75V 98A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 230W (Tc) 190 W 200 W

漏源极电压(Vds) 75 V 68 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 98A 98A 98A

上升时间 42 ns 60 ns 42 ns

输入电容(Ciss) 3100pF @25V(Vds) 2550pF @25V(Vds) -

下降时间 27 ns 75 ns 27 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 190W (Tc) 230W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 9.8 mΩ 10 mΩ

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 68 V 75 V

额定功率(Max) - 190 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 - - 9.9 mm

宽度 - - 9.2 mm

高度 - - 4.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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