对比图
型号 BH20 IRG4BH20K-S IRG4BH20K-STRLPBF
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 11A 3Pin (2+Tab) D2PAKInsulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 3 -
封装 - TO-263-3 -
额定电压(DC) - 1.20 kV -
额定电流 - 11.0 A -
额定功率 - 60 W -
产品系列 - IRG4BH20K-S -
上升时间 - 26.0 ns -
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V -
额定功率(Max) - 60 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 60000 mW -
封装 - TO-263-3 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended Unknown Active
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -