FDR858P和SI6435DQ

对比图

型号 FDR858P SI6435DQ SI6435DQ-T1

描述 单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET30V P沟道PowerTrench MOSFET 30V P-Channel PowerTrench MOSFETTrans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SMD-8 TSSOP -

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -8.00 A - -

漏源极电阻 19.0 mΩ 27.0 mΩ -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 1.8W (Ta) 1.30 W -

输入电容 2.01 nF - -

栅电荷 21.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A - -

上升时间 15.0 ns - -

输入电容(Ciss) 2010pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 900 mW - -

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) - -

封装 SMD-8 TSSOP -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -