对比图
型号 APT10035JFLL IXTN21N100 APT10035JLL
描述 SOT-227 N-CH 1000V 25ASOT-227B N-CH 1000V 21ATrans MOSFET N-CH 1kV 25A 4Pin SOT-227
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 3 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 28.0 A 21.0 A 28.0 A
极性 N-CH N-Channel -
耗散功率 520000 mW 520W (Tc) 520 W
输入电容 5.18 nF - 5.18 nF
栅电荷 186 nC - 186 nC
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 25.0 A 21.0 A 25.0 A
上升时间 10 ns 50.0 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds) 5185pF @25V(Vds)
下降时间 9 ns - 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 520000 mW 520W (Tc) 520W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 350 mΩ
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 1000 V
额定功率(Max) - 520 W 520 W
额定功率 - 520 W -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - - 38 mm
宽度 - - 25.2 mm
高度 - - 8.9 mm
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)