对比图
型号 BCP56-16T1 BCP56-16T3 BCP56-16T3G
描述 NPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorNPN硅外延型晶体管 NPN Silicon Epitaxial TransistorON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
频率 - - 130 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
针脚数 - - 4
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - - 1.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V - 100 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1.5 W - 1.5 W
直流电流增益(hFE) - - 25
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W - 1.5 W
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.63 mm
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99