IRFR4615TRLPBF和RTQ045N03TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4615TRLPBF RTQ045N03TR IRFR4615PBF

描述 INFINEON  IRFR4615TRLPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.034 ohm, 10 V, 5 V 新2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FETINFINEON  IRFR4615PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 33A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6 3

封装 TO-252-3 TSOT-23-6 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 4.50 A -

漏源极电阻 0.034 Ω 420 mΩ 0.042 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 144 W 1.25 W 144 W

漏源极电压(Vds) 150 V 30 V 150 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 33A 4.50 A 33A

上升时间 35 ns 31 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 1750pF @50V(Vds) 540pF @10V(Vds) 1750pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 144 W 1.25 W -

下降时间 20 ns 30 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 144W (Tc) 1.25W (Ta) 144W (Tc)

额定功率 144 W - 144 W

针脚数 3 - 3

产品系列 IRFR4615 - -

阈值电压 5 V - 5 V

输入电容 1750 pF - -

通道数 - - 1

封装 TO-252-3 TSOT-23-6 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.73 mm

宽度 7.49 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.39 mm

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台