对比图
型号 FQA8N90C FQA8N90C-F109 FQA8N90C_F109
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN沟道MOSFET QFET® 900 V， 8 A， 1.9 I© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 8 A, 1.9 Ω900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-3-3 SC-65 TO-3-3
引脚数 - - 3
封装 TO-3-3 SC-65 TO-3-3
高度 20.1 mm - 21.3 mm
长度 16.2 mm - -
宽度 5 mm - -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube, Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
通道数 - - 1
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 240 W - 240 W
漏源极电压(Vds) 900 V - 900 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A - 8A
上升时间 110 ns - 110 ns
输入电容(Ciss) 2080pF @25V(Vds) - 2080pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 240 W - 240 W
下降时间 70 ns - 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 240W (Tc) - 240W (Tc)
额定电压(DC) 900 V - -
额定电流 8.00 A - -
漏源极电阻 1.90 Ω - -
漏源击穿电压 900 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99