BSS84P H6327和BSS84,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84P H6327 BSS84,215 NDS0605

描述 INFINEON  BSS84P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 VNXP  BSS84,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 6 ohm, -10 V, -2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS0605  晶体管, MOSFET, P沟道, 180 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 8 Ω 6 Ω 5 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 360 mW 250 mW 360 mW

漏源极电压(Vds) 60 V 50 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - -130 mA 180 mA

输入电容(Ciss) 19pF @25V(Vds) 45pF @25V(Vds) 79pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 360 mW 250 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 360mW (Ta) 250 mW 360mW (Ta)

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -180 mA

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 16.2 ns - 6.3 ns

下降时间 20.5 ns - 7.5 ns

阈值电压 1.5 V - -

长度 2.9 mm 3 mm 2.92 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 1.10 mm 1 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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