IRFHM830DTR2PBF和RQ3E180BNTB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFHM830DTR2PBF RQ3E180BNTB

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8Pin PQFN EP T/R场效应管(MOSFET) RQ3E180BNTB HSMT-8

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VQFN-8 PowerVDFN-8

耗散功率 2.7 W 2 W

输入电容(Ciss) 1797pF @25V(Vds) 3500pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) - 2W (Ta), 20W (Tc)

额定功率 2.8 W -

极性 N-Channel -

产品系列 IRFHM830D -

漏源极电压(Vds) 30 V -

额定功率(Max) 2.8 W -

封装 VQFN-8 PowerVDFN-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

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