对比图
型号 IRFHM830DTR2PBF RQ3E180BNTB
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8Pin PQFN EP T/R场效应管(MOSFET) RQ3E180BNTB HSMT-8
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 VQFN-8 PowerVDFN-8
耗散功率 2.7 W 2 W
输入电容(Ciss) 1797pF @25V(Vds) 3500pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) - 2W (Ta), 20W (Tc)
额定功率 2.8 W -
极性 N-Channel -
产品系列 IRFHM830D -
漏源极电压(Vds) 30 V -
额定功率(Max) 2.8 W -
封装 VQFN-8 PowerVDFN-8
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -