对比图
型号 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3
描述 VISHAY SIR882ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 1.2 VVISHAY SIR882DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 7.1 mohm, 10 V, 1.2 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAK SO
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0072 Ω 0.0071 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 5.4 W
阈值电压 1.2 V 1.2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 1975pF @50V(Vds) -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 5400 mW -
长度 6.15 mm -
宽度 5.15 mm -
高度 1.04 mm -
封装 PowerPAKSO-8 PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free