对比图
型号 DMG6968UTS-13 ZXMHC3F381N8TC ZXMHC3A01N8TC
描述 双N沟道(共漏) 20V 5.2AZXMHC3F381N8TC 编带ZXMHC3A01N8 30 V 125 Ohm N/P 沟道 增强模式 MOSFET H-桥 - SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.033 Ω -
极性 N-CH N-Channel, P-Channel N+P
耗散功率 1 W 870 mW 1.36 W
阈值电压 - 1 V -
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.2A 4.98A/4.13A 2.72A/2.06A
输入电容(Ciss) 143pF @10V(Vds) 430pF @15V(Vds) 190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 870 mW 870 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1350 mW 1360 mW
上升时间 78 ns - 2.3 ns
下降时间 234 ns - 2.9 ns
输入电容 143 pF - -
封装 TSSOP-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99