IRLR3114ZTRPBF和STD120N4LF6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3114ZTRPBF STD120N4LF6 AUIRLR3114Z

描述 MOS(场效应管)/IRLR3114ZTRPBFN 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 130A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1 -

漏源极电阻 6.5 mΩ 0.004 Ω 0.0039 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 110 W 140 W

产品系列 IRLR3114Z - AUIRLR3114Z

阈值电压 2.5 V 1V ~ 3V 1 V

输入电容 3810pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 130 A, 130 mA - -

输入电容(Ciss) 3810pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 140 W 110 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 - 95 ns -

下降时间 - 45 ns -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2014/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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