对比图
型号 MPSW01A MPSW01ARLRP MPSW01ARLRPG
描述 一瓦高电流晶体管（ NPN硅） One Watt High Current Transistors(NPN Silicon)双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 50V NPN一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.01 W 10 mW 1 W
集电极击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V
额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
增益频宽积 50 MHz - -
耗散功率(Max) 1 W - 1000 mW
频率 - - 50 MHz
长度 5.21 mm 5.21 mm -
宽度 4.19 mm 4.19 mm -
高度 7.87 mm 7.87 mm -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tape & Box (TB) Tape
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - - EAR99