FDD6N20TM和PHD9NQ20T,118

对比图

型号 FDD6N20TM PHD9NQ20T,118 FQD10N20L

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 VDPAK N-CH 200V 8.7APower Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.6 Ω - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 40 W 88 W -

阈值电压 5 V - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 4.5A 8.7A -

上升时间 5.6 ns 19 ns -

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 40 W 88 W -

下降时间 12.8 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 40W (Tc) 88W (Tc) -

通道数 - 1 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

宽度 - 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -