对比图
型号 IPU60R1K5CEAKMA1 IPU60R1K5CEBKMA1 IPU60R1K5CEAKMA2
描述 N-CH 600V 5ATO-251 N-CH 800V 3.1AN沟道 600V 3.1A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
引脚数 - 3 -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 28W (Tc) 49W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 5A 3.1A 5A
上升时间 7 ns 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds) 200pF @100V(Vds)
下降时间 20 ns 20 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 49000 mW 28W (Tc) 49W (Tc)
封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Last Time Buy Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅