BD140-16和BD140G

对比图

型号 BD140-16 BD140G BD14016S

描述 STMICROELECTRONICS  BD140-16  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  BD140G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 80 V, 1.25 W, -1.5 A, 40 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 160 MHz - -

针脚数 3 3 -

极性 P-Channel PNP, P-Channel PNP

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 40 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.25 W 1250 mW 1250 mW

额定电压(DC) - -80.0 V -80.0 V

额定电流 - 1.50 A -1.50 A

集电极最大允许电流 - 1.5A 1.5A

最大电流放大倍数(hFE) - - 250

长度 7.8 mm - 8 mm

宽度 2.7 mm - 3.25 mm

高度 10.8 mm - 11.2 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99