ZTX694B和ZTX694BSTZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX694B ZTX694BSTZ ZTX694BSTOA

描述 ZTX694B 袋装NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 E-Line-3 E-Line-3 TO-92-3

额定电压(DC) 120 V 120 V 120 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

额定功率 - 1 W -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 1 W 1 W

增益频宽积 - 130 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V 120 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 400 @200mA, 2V 400 @200mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 500 @100mA, 2V 500 @100mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 500 - -

长度 - 4.77 mm 4.77 mm

宽度 - 2.41 mm 2.41 mm

高度 - 4.01 mm 4.01 mm

封装 E-Line-3 E-Line-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Tape, Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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