对比图
描述 射频与微波晶体管800-960MHz蜂窝基站 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 800-960MHz CELLULAR BASE STATION射频功率晶体管800-960兆赫蜂窝基站 RF POWER TRANSISTORS 800-960 MHz CELLULAR BASE STATIONRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类
安装方式 - Surface Mount -
封装 - M208 -
耗散功率 - 300 W -
增益频宽积 - 960 MHz -
最小电流放大倍数(hFE) - 25 -
最大电流放大倍数(hFE) - 120 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 65 ℃ -
极性 NPN - -
击穿电压(集电极-发射极) 28 V - -
集电极最大允许电流 25A - -
长度 - 34.16 mm -
宽度 - 10.34 mm -
高度 - 5.21 mm -
封装 - M208 -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -