对比图
型号 FDB070AN06A0 IPB081N06L3GATMA1 NTB75N06T4G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB070AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IPB081N06L3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.7 mohm, 10 V, 1.7 V75A,60V功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 80.0 A - 75.0 A
漏源极电阻 0.0061 Ω 0.0067 Ω 9.50 mΩ
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 175 W 79 W 214 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 50A 75.0 A
上升时间 159 ns 26 ns 112 ns
输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3700pF @30V(Vds) 4510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 175 W - 2.4 W
下降时间 35 ns 7 ns 100 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 175 W 79000 mW 2.4 W
针脚数 3 3 -
阈值电压 4 V 1.7 V -
输入电容 3.00 nF - -
栅电荷 51.0 nC - -
额定功率 - 79 W -
封装 TO-263-3 TO-263 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.31 mm -
宽度 11.33 mm 9.45 mm -
高度 4.83 mm 4.57 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99