对比图
型号 STB6NK60Z STU6N62K3 R6006ANX
描述 N沟道600 V - 1ヘ - 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 1 ヘ - 6 A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN沟道620 V， 0.95 I© （典型值） ， 5.5 SuperMESH3功率MOSFET采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK ， TO- 220 ， IPAK包 N-channel 620 V, 0.95 Ω typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packagesN 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-251-3 TO-220-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.95 Ω 1.2 Ω
极性 - N-Channel -
耗散功率 - 90 W 40 W
阈值电压 - 3.75 V -
漏源极电压(Vds) - 620 V 600 V
上升时间 - 12.5 ns 18 ns
输入电容(Ciss) - 875pF @50V(Vds) 520pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 40 W
下降时间 - 19 ns 35 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 40W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 - 6.6 mm 10.3 mm
宽度 - 2.4 mm 4.8 mm
高度 - 6.2 mm 15.4 mm
封装 - TO-251-3 TO-220-3
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -