对比图



型号 BCW61DLT1 BCW66GLT1G BCW61DE6327
描述 SOT-23 PNP 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR BCW66GLT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFESOT-23 PNP 32V 0.1A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 250 MHz
额定电压(DC) - 45.0 V -
额定电流 - 800 mA -
针脚数 - 3 -
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 - 330 mW 330 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 45 V 32 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.8A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V -
额定功率(Max) - 300 mW -
直流电流增益(hFE) - 60 -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 300 mW -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active End of Life
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -