BCW61DLT1和BCW66GLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW61DLT1 BCW66GLT1G BCW61DE6327

描述 SOT-23 PNP 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BCW66GLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 160 hFESOT-23 PNP 32V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 250 MHz

额定电压(DC) - 45.0 V -

额定电流 - 800 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP NPN PNP

耗散功率 - 330 mW 330 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 45 V 32 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.8A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 160 @100mA, 1V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300 mW -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active End of Life

包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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