对比图
型号 IRF7807 IRF7807TRPBF IRF7807PBF
描述 SOIC N-CH 30V 8.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF7807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 30 V, 25 mohm, 4.5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 - 0.017 Ω 0.025 Ω
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.30 A 8.3A 8.3A
上升时间 17 ns 17 ns 17 ns
额定功率(Max) - 2.5 W -
下降时间 6 ns 6 ns 6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 13.0 A - -
产品系列 IRF7807 - -
额定功率 - - 2.5 W
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17