BCR553E6327HTSA1和PDTB123EK,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR553E6327HTSA1 PDTB123EK,115

描述 双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTORMPAK PNP 50V 500mA

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V -

额定电流 -500 mA -

极性 PNP PNP

耗散功率 0.33 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 40 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V

额定功率(Max) 330 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

增益带宽 150 MHz -

耗散功率(Max) 330 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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