对比图
型号 IRF630NSPBF IRF630NSTRR IRF630SPBF
描述 INFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 200V 9.3AVISHAY IRF630SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 82 W 82W (Tc) 74 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.3A 9.3A 9.00 A
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 82 W -
耗散功率(Max) 82W (Tc) 82W (Tc) 3000 mW
额定功率 82 W - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.3 Ω - 300 mΩ
阈值电压 4 V - 4 V
上升时间 14 ns - -
下降时间 15 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 9.65 mm - 9.65 mm
高度 4.83 mm - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete -
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -