KSP2907ABU和PN2907AG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSP2907ABU PN2907AG P2N2907A

描述 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon放大器晶体管( PNP硅) Amplifier Transistor(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -600 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 75 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

频率 200 MHz - -

耗散功率 0.625 W 625 mW -

最大电流放大倍数(hFE) 300 - -

增益频宽积 - 200 MHz -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-226-3

长度 4.58 mm 5.2 mm -

宽度 3.86 mm 4.19 mm -

高度 4.58 mm 5.33 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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