RFP30N06LE和RFP30P05

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP30N06LE RFP30P05 SPW47N60C3

描述 30A , 60V , ESD额定, 0.047欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs30A , 50V , 0.065欧姆,P沟道功率MOSFET 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETsINFINEON  SPW47N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 650 V, 70 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-247-3

额定电压(DC) 60.0 V - 650 V

额定电流 30.0 A - 47.0 A

额定功率 - - 415 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 47.0 mΩ - 70 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 96 W - 415 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 650 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 47.0 A

上升时间 88 ns - 27 ns

输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) - 6800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 415 W

下降时间 40 ns - 8 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 96W (Tc) - 415W (Tc)

漏源击穿电压 60.0 V - -

长度 10.67 mm - 15.9 mm

宽度 4.7 mm - 5.3 mm

高度 16.3 mm - 20.95 mm

封装 TO-220-3 - TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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